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公司“第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队”获批及受牌仪式在广州举行

发布时间:2011-06-30 16:26:55 人气: 来源:


   2011年6月,第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队。团队带头人王占国,中国科学院院士,半导体材料及材料物理学家。核心成员由6名研究院组成。研究方向为第三代宽禁带碳化硅(SiC)半导体外延材料及器件产业化,包括SiC外料材料产业化、器件材料生长技术、外延设备研制、外延材料检测与标准化以及器件工艺技术等5个项目。曾申请相关专利23项,授权专利15项,拥有SiC外延等核心技术9项,发表SCI和EI论文40余篇。

  授牌现场

 

 

  公司领导及创新团队成员王占国院士(左四)一行

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